- 產(chǎn)品型號:IPG20N04S408ATMA1
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:8-PowerVDFN
- 功能類別:FET - 陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8
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Infineon英飛凌公司完整型號: IPG20N04S408ATMA1
制造廠家名稱: Infineon Technologies
功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8
系列: OptiMOS?
FET 類型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 20A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 7.6 毫歐 @ 17A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 30μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 36nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 2940pF @ 25V
功率 - 最大值: 65W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝: PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)