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Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：IPD65R1K4CFDBTMA1

制造廠(chǎng)家名稱(chēng)：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

系列：CoolMOS?

FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：650V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：2.8A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：1.4 歐姆 @ 1A， 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：10nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：262pF @ 100V

功率 - 最大值：28.4W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252