- 產品型號:IPD50N06S2L13ATMA2
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:TO-252-3,DPak
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
深圳市諾森半導電子有限公司提供IPD50N06S2L13ATMA2報價、現(xiàn)貨供應、技術資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
IPD50N06S2L13ATMA2 >>> 英飛凌芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供英飛凌公司IPD50N06S2L13ATMA2報價、現(xiàn)貨供應、功能介紹、技術資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購IPD50N06S2L13ATMA2?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產品試產到大批量生產,我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應服務!
Infineon英飛凌公司完整型號: IPD50N06S2L13ATMA2
制造廠家名稱: Infineon Technologies
功能總體簡述: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
系列: OptiMOS?
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss): 55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 50A(Tc)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 12.7 毫歐 @ 34A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 80μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 69nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1800pF @ 25V
功率 - 最大值: 136W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商器件封裝: PG-TO252-3-11