- 產品型號:IPD33CN10N G
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TO252-3
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPD33CN10N G
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):27A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):33 毫歐 @ 27A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 29μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):24nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1570pF @ 50V
功率 - 最大值:58W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商器件封裝:PG-TO252-3