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IPD26N06S2L35ATMA2
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Infineon英飛凌公司完整型號: IPD26N06S2L35ATMA2

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

系列: OptiMOS?

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss): 55V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 30A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 35 毫歐 @ 13A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 26μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 24nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 621pF @ 25V

功率 - 最大值: 68W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應商器件封裝: PG-TO252-3-11


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