- 產(chǎn)品型號:IPD26N06S2L35ATMA2
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:TO-252-3,DPak
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
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Infineon英飛凌公司完整型號: IPD26N06S2L35ATMA2
制造廠家名稱: Infineon Technologies
功能總體簡述: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
系列: OptiMOS?
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss): 55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 30A(Tc)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 35 毫歐 @ 13A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 26μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 24nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 621pF @ 25V
功率 - 最大值: 68W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商器件封裝: PG-TO252-3-11