- 產(chǎn)品型號(hào):IPD038N04N G
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TO252-3
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
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Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPD038N04N G
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):90A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3.8 毫歐 @ 90A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 45μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):56nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):4500pF @ 20V
功率 - 最大值:94W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3