- 產(chǎn)品型號(hào):IPD031N06L3 G
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TO252-3
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
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Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPD031N06L3 G
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3.1 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 93μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):79nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):13000pF @ 30V
功率 - 最大值:167W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3