- 產(chǎn)品型號:IPB77N06S212ATMA2
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:TO-263-3,D2Pak
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
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Infineon英飛凌公司完整型號: IPB77N06S212ATMA2
制造廠家名稱: Infineon Technologies
功能總體簡述: MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
系列: OptiMOS?
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 標準
漏源極電壓(Vdss): 55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 77A(Tc)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 11.7 毫歐 @ 38A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 93μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 60nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1770pF @ 25V
功率 - 最大值: 158W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商器件封裝: PG-TO263-3-2