- 產(chǎn)品型號:IPB60R600C6
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TO263-2
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPB60R600C6
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
系列:CoolMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):7.3A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):600 毫歐 @ 2.4A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 200μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):20.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):440pF @ 100V
功率 - 最大值:63W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-2