- 產(chǎn)品型號:IPB180N06S4-H1
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TO263-7
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPB180N06S4-H1
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):180A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):1.7 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 200μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):270nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):21900pF @ 25V
功率 - 最大值:250W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-7