- 產(chǎn)品型號:IPB10N03LB
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TO263-3
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPB10N03LB >>> 英飛凌芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供英飛凌公司IPB10N03LB報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購IPB10N03LB?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Infineon英飛凌公司完整型號:IPB10N03LB
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):50A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):9.6 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):13nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1639pF @ 15V
功率 - 最大值:58W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-4,D2Pak(3 引線+接片),TO-263AA
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3