- 產品型號:IPB041N04N G
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TO263-2
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
深圳市諾森半導電子有限公司提供IPB041N04N G報價、現貨供應、技術資料下載獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格,那就馬上與我們聯系吧!
IPB041N04N G >>> 英飛凌芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供英飛凌公司IPB041N04N G報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯系吧!
采購IPB041N04N G?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產品試產到大批量生產,我們將提供性價比最高的現貨供應服務!
Infineon英飛凌公司完整型號:IPB041N04N G
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):80A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4.1 毫歐 @ 80A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 45μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):56nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4500pF @ 20V
功率 - 最大值:94W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商器件封裝:PG-TO263-2