- 產品型號:IPB027N10N5ATMA1
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:TO-263-3,D2Pak
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3
深圳市諾森半導電子有限公司提供IPB027N10N5ATMA1報價、現貨供應、技術資料下載獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格,那就馬上與我們聯系吧!
IPB027N10N5ATMA1 >>> 英飛凌芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供英飛凌公司IPB027N10N5ATMA1報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯系吧!
采購IPB027N10N5ATMA1?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產品試產到大批量生產,我們將提供性價比最高的現貨供應服務!
Infineon英飛凌公司完整型號: IPB027N10N5ATMA1
制造廠家名稱: Infineon Technologies
功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3
系列: OptiMOS?
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 標準
漏源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 120A(Tc)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 2.7 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 184μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 139nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 10300pF @ 50V
功率 - 最大值: 250W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商器件封裝: PG-TO263-3