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IPB010N06N
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Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPB010N06N

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):45A(Ta),180A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):1 毫歐 @ 100A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 280μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):208nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):15000pF @ 30V

功率 - 最大值:300W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-7


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