- 產品型號:IPA65R190C6
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TO220
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPA65R190C6
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
系列:CoolMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):20.2A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):190 毫歐 @ 7.3A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 730μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):73nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1620pF @ 100V
功率 - 最大值:34W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商器件封裝:PG-TO220 整包