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Infineon英飛凌公司完整型號：BSZ042N06NS

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：17A（Ta），40A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.2 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 36μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：27nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2000pF @ 30V

功率 - 最大值：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應商器件封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）