- 產品型號:BSS806N H6327
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-SOT23-3
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSS806N H6327
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2.3A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):57 毫歐 @ 2.3A,2.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1.7nC @ 2.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):529pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商器件封裝:PG-SOT23-3