- 產(chǎn)品型號:BSP300H6327XUSA1
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:TO-261-4,TO-261AA
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
深圳市諾森半導電子有限公司提供BSP300H6327XUSA1報價、現(xiàn)貨供應、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
BSP300H6327XUSA1 >>> 英飛凌芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供英飛凌公司BSP300H6327XUSA1報價、現(xiàn)貨供應、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購BSP300H6327XUSA1?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應服務!
Infineon英飛凌公司完整型號: BSP300H6327XUSA1
制造廠家名稱: Infineon Technologies
功能總體簡述: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
系列: SIPMOS
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 標準
漏源極電壓(Vdss): 800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 190mA(Ta)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 20 歐姆 @ 190mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): -
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 230pF @ 25V
功率 - 最大值: 1.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應商器件封裝: PG-SOT223-4