- 產(chǎn)品型號:BSO612CV G
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-DSO-8
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
BSO612CV G >>> 英飛凌芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供英飛凌公司BSO612CV G報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購BSO612CV G?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Infineon英飛凌公司完整型號:BSO612CV G
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
系列:SIPMOS
FET 類型:N 和 P 溝道
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3A,2A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):120 毫歐 @ 3A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 20μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):340pF @ 25V
功率 - 最大值:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8