- 產(chǎn)品型號:BSO207P H
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-DSO-8
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSO207P H
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8
系列:OptiMOS?
FET 類型:2 個 P 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):5A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):45 毫歐 @ 5.7A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 44μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):16nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1650pF @ 15V
功率 - 最大值:1.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8