- 產(chǎn)品型號:BSC252N10NSF G
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TDSON-8
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
深圳市諾森半導電子有限公司提供BSC252N10NSF G報價、現(xiàn)貨供應、技術資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
BSC252N10NSF G >>> 英飛凌芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供英飛凌公司BSC252N10NSF G報價、現(xiàn)貨供應、功能介紹、技術資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購BSC252N10NSF G?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應服務!
Infineon英飛凌公司完整型號:BSC252N10NSF G
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):7.2A(Ta),40A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):25.2 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 43μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):17nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1100pF @ 50V
功率 - 最大值:78W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)