- 產(chǎn)品型號:BSC084P03NS3E G
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TDSON-8
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSC084P03NS3E G
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):14.9A(Ta),78.6A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8.4 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 110μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):57.7nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4240pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8