- 產(chǎn)品型號:VMM1000-01P
- 制 造 商:IXYS
- 出廠封裝:Y3-Li
- 功能類別:場效應(yīng)管模塊
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI
深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供VMM1000-01P報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
VMM1000-01P >>> IXYS芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供IXYS公司VMM1000-01P報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購VMM1000-01P?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
IXYS公司完整型號:VMM1000-01P
制造廠家名稱:IXYS
描述:MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI
系列:-
FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1000A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 800A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2355nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:Y3-Li
供應(yīng)商器件封裝:Y3-Li