- 產(chǎn)品型號:MKI50-12F7
- 制 造 商:IXYS
- 出廠封裝:E2
- 功能類別:IGBT模塊
- 功能描述:MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2
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IXYS公司完整型號:MKI50-12F7
制造廠家名稱:IXYS
描述:MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2
系列:-
IGBT 類型:NPT
配置:全橋反相器
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):65A
功率 - 最大值:350W
不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):3.8V @ 15V,50A
電流 - 集電極截止(最大值):700μA
不同 Vce 時的輸入電容 (Cies):3.3nF @ 25V
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:無
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:E2
供應(yīng)商器件封裝:E2