- 產(chǎn)品型號(hào):IXTY08N100P
- 制 造 商:IXYS
- 出廠(chǎng)封裝:TO-252
- 功能類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
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IXYS公司完整型號(hào):IXTY08N100P
制造廠(chǎng)家名稱(chēng):IXYS
描述:MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
系列:Polar?
FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):800mA(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):20 歐姆 @ 500mA,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 50μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):11.3nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):240pF @ 25V
功率 - 最大值:42W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak)