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IXYS公司完整型號(hào)：IXTY08N100D2

制造廠家名稱：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：耗盡模式

漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：800mA（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：21 歐姆 @ 400mA，0V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：14.6nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：325pF @ 25V

功率 - 最大值：60W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：TO-252，（D-Pak）