- 產(chǎn)品型號(hào):IXTT16N10D2
- 制 造 商:IXYS
- 出廠封裝:TO-268
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 100V 16A TO-268
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IXYS公司完整型號(hào):IXTT16N10D2
制造廠家名稱:IXYS
描述:MOSFET N-CH 100V 16A TO-268
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:耗盡模式
漏源極電壓 (Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):16A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):64 毫歐 @ 8A,0V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):225nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):5700pF @ 25V
功率 - 最大值:830W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA
供應(yīng)商器件封裝:TO-268