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IXYS公司完整型號(hào)：IXTT10N100D

制造廠家名稱(chēng)：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

系列：-

FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：耗盡模式

漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：10A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：1.4 歐姆 @ 10A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：130nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2500pF @ 25V

功率 - 最大值：400W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA

供應(yīng)商器件封裝：TO-268