- 產(chǎn)品型號:IXTN21N100
- 制 造 商:IXYS
- 出廠封裝:SOT-227B
- 功能類別:場效應(yīng)管模塊
- 功能描述:MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
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IXYS公司完整型號:IXTN21N100
制造廠家名稱:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
系列:MegaMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):21A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):550 毫歐 @ 500mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 500μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):250nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):8400pF @ 25V
功率 - 最大值:520W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應(yīng)商器件封裝:SOT-227B