- 產(chǎn)品型號:IXTA1N100P
- 制 造 商:IXYS
- 出廠封裝:TO-263
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
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IXYS公司完整型號:IXTA1N100P
制造廠家名稱:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
系列:Polar?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):15 歐姆 @ 500mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):331pF @ 25V
功率 - 最大值:50W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商器件封裝:TO-263 (IXTA)