- 產(chǎn)品型號:IXFP4N100P
- 制 造 商:IXYS
- 出廠封裝:TO-220AB
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
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IXYS公司完整型號:IXFP4N100P
制造廠家名稱:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
系列:HiPerFET, PolarP2
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.3 歐姆 @ 2A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):26nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1456pF @ 25V
功率 - 最大值:150W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB