- 產(chǎn)品型號(hào):IXFN60N80P
- 制 造 商:IXYS
- 出廠封裝:SOT-227B
- 功能類別:場(chǎng)效應(yīng)管模塊
- 功能描述:MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
IXFN60N80P >>> IXYS芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供IXYS公司IXFN60N80P報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)IXFN60N80P?不再猶豫,找我們沒(méi)錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
IXYS公司完整型號(hào):IXFN60N80P
制造廠家名稱:IXYS
描述:MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
系列:PolarHV?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):800V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):53A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):140 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):250nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):18000pF @ 25V
功率 - 最大值:1040W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應(yīng)商器件封裝:SOT-227B