- 產(chǎn)品型號(hào):IRLHS6376TRPBF
- 制 造 商:IR(國(guó)際整流器公司)
- 出廠封裝:6-PQFN
- 功能類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
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IR公司完整型號(hào):IRLHS6376TRPBF
制造廠家名稱:International Rectifier
描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
系列:HEXFET
FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):3.6A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):63 毫歐 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 10μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):2.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):270pF @ 25V
功率 - 最大值:1.5W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:6-VDFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商器件封裝:6-PQFN(2x2)