- 產(chǎn)品型號:IRLHS6342TR2PBF
- 制 造 商:IR(國際整流器公司)
- 出廠封裝:6-PQFN
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
IRLHS6342TR2PBF >>> IR芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供IR公司IRLHS6342TR2PBF報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購IRLHS6342TR2PBF?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
IR公司完整型號:IRLHS6342TR2PBF
制造廠家名稱:International Rectifier
描述:MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
系列:HEXFET
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):8.7A(Ta),19A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):15.5 毫歐 @ 8.5A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 10μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):11nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1019pF @ 25V
功率 - 最大值:2.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝:6-PQFN(2x2)