- 產(chǎn)品型號:IRFHM792TR2PBF
- 制 造 商:IR(國際整流器公司)
- 出廠封裝:8-PQFN
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
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IR公司完整型號:IRFHM792TR2PBF
制造廠家名稱:International Rectifier
描述:MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
系列:HEXFET
FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2.3A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):195 毫歐 @ 2.9A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):6.3nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):251pF @ 25V
功率 - 最大值:2.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝:8-PQFN(3.3x3.3), Power33