- 產(chǎn)品型號(hào):IRF9952TRPBF
- 制 造 商:IR(國(guó)際整流器公司)
- 出廠封裝:8-SO
- 功能類別:場(chǎng)效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
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IR公司完整型號(hào):IRF9952TRPBF
制造廠家名稱:International Rectifier
描述:MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
系列:HEXFET
FET 類型:N 和 P 溝道
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):3.5A,2.3A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):100 毫歐 @ 2.2A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):14nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):190pF @ 15V
功率 - 最大值:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-SO