- 產(chǎn)品型號(hào):IRF8910GTRPBF
- 制 造 商:IR(國(guó)際整流器公司)
- 出廠封裝:8-SO
- 功能類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
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IR公司完整型號(hào):IRF8910GTRPBF
制造廠家名稱(chēng):International Rectifier
描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
系列:HEXFET
FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):10A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):13.4 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.55V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):11nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):960pF @ 10V
功率 - 最大值:2W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-SO