- 產(chǎn)品型號(hào):FQD2N80TM_WS
- 制 造 商:Fairchild(仙童)
- 出廠封裝:D-Pak
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
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Fairchild仙童公司完整型號(hào):FQD2N80TM_WS
制造廠家名稱:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
系列:QFET
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):800V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):1.8A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):6.3 歐姆 @ 900mA,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):15nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):550pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝:D-Pak