- 產(chǎn)品型號:ZXMNS3BM832TA
- 制 造 商:Diodes(美臺半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:8-MLP
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
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Diodes公司完整型號:ZXMNS3BM832TA
制造廠家名稱:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:二極管(隔離式)
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):180 毫歐 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2.9nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):314pF @ 15V
功率 - 最大值:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:8-MLP,MicroFET(3x2)