- 產(chǎn)品型號:DMN61D8LVT-7
- 制 造 商:Diodes(美臺半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:SOT-23-6
- 功能類別:FET - 陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
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Diodes公司完整型號: DMN61D8LVT-7
制造廠家名稱: Diodes Incorporated
功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
系列: -
FET 類型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 功能: 邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 630mA
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 1.8 歐姆 @ 150mA,5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 0.74nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 12.9pF @ 12V
功率 - 最大值: 820mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝: TSOT-26