- 產(chǎn)品型號:DMN2014LHAB-7
- 制 造 商:Diodes(美臺半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:6-UDFN2020
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
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Diodes公司完整型號:DMN2014LHAB-7
制造廠家名稱:Diodes Incorporated
描述:MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
系列:-
FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):9A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):13 毫歐 @ 4A, 4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):16nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1550pF @ 10V
功率 - 最大值:800mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:6-UDFN2020(2x2)