- 產(chǎn)品型號(hào):DMN2011UFDE-7
- 制 造 商:Diodes(美臺(tái)半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:6-UDFN2020
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323
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Diodes公司完整型號(hào):DMN2011UFDE-7
制造廠家名稱:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):11.7A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):9.5 毫歐 @ 7A, 4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):56nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2248pF @ 10V
功率 - 最大值:610mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:6-UDFN2020(2x2)