- 產(chǎn)品型號:DMN10H120SFG-7
- 制 造 商:Diodes(美臺半導體)
- 出廠封裝:PowerDI3333-8
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
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Diodes公司完整型號:DMN10H120SFG-7
制造廠家名稱:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3.4A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):110 毫歐 @ 3.3A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):10.6nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):549pF @ 50V
功率 - 最大值:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商器件封裝:PowerDI3333-8