- 產品型號:DMG6898LSDQ-13
- 制 造 商:Diodes(美臺半導體)
- 出廠封裝:8-SOIC
- 功能類別:FET - 陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
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Diodes公司完整型號: DMG6898LSDQ-13
制造廠家名稱: Diodes Incorporated
功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
系列: -
FET 類型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 功能: 標準
漏源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 9.5A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 16 毫歐 @ 9.4A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 26nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1149pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.28W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝: 8-SO