- 產(chǎn)品型號:DMC3025LSD-13
- 制 造 商:Diodes(美臺(tái)半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:8-SO
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
DMC3025LSD-13 >>> Diodes芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Diodes公司DMC3025LSD-13報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購DMC3025LSD-13?不再猶豫,找我們沒錯(cuò)!對有長期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Diodes公司完整型號:DMC3025LSD-13
制造廠家名稱:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
系列:-
FET 類型:N 和 P 溝道
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):6.5A,4.2A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):20 毫歐 @ 7.4A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):9.8nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):501pF @ 15V
功率 - 最大值:1.2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-SO